套刻(Overlay)

套刻對準是將工藝上下層對準的過程,套刻誤差定義為兩層之間的偏移。套刻誤差測量通常是指對兩層不同材料的不同套刻標記,通過圖像、算法處理獲得兩層之間偏移值的過程。

針對測量套刻誤差,天準半導體測量設備支持測量Box-in-Box、Frame-in-Frame、L-Bars、Circle-in-Circle、Cross-in-Cross或定制開發其他的結構。


關鍵尺寸(CD)

光學測量是一種非接觸式、非破壞性的測量技術,精確且快速,可通過CCD圖像提取結構強度信息來計算寬度。強度圖必須要進行額外處理,以使其免受噪聲或變形的干擾。

天準半導體測量設備已具備消除這類干擾的功能,對低于0.7μm的特征結構,系統支持使用UV光測量。


膜厚(Film Thickness)

測量設備擁有定期自動校準功能,支持測量透明和半透明的介質膜,最多可測量三層膜。

主要特點

支持測量關鍵尺寸、套刻

支持定制OC、SMIF、FOUP

支持200/300mm晶圓以及組合

可配置可見光、紫外光

SECS/GEM

DaVinci
主要特點

支持測量關鍵尺寸、套刻

機械手晶圓搬運

最大支持8寸晶圓

SECS/GEM 

長期維護成本低,穩定可靠

MT3000 VIS/UV
主要特點

晶圓膜厚、關鍵尺寸測量

最大支持8寸晶圓

全自動校準與測量

SECS/GEM

長期維護成本低,穩定可靠

MT2010 VIS/UV
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